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            SiC肖特基势垒二极管

            SiC器件具有出色的特性,能够实现高耐压、低功耗、高频动作和高温动作。使用SiC的功率半导体能够实现大幅节能和安装产品的小型化、轻量化。

            产品信息

            • 产品信息

            SiC-SBD系列

            接线 VRRM (V) Io (A)
            TO-220

            TO-220F

            TO-247

            T-Pack(s)
            单管 650 6 FDCP06S65 FDCA06S65
            8 FDCP08S65 FDCA08S65
            10 FDCP10S65 FDCA10S65 FDCY10S65 FDCC10S65
            25 FDCP25S65 FDCA25S65 FDCY25S65 FDCC25C65
            1200 18 FDCA18S120 FDCY18S120
            双管 650 20 FDCP20C65 FDCA20C65 FDCY20C65 FDCC20C65
            50     FDCY50C65  
            1200 36     FDCY36C120  

            :新产品

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