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            EV、HEV用IGBT模塊

            采用直接水冷銅散熱片基礎結構、實現了高功率密度和小型封裝的EV、HEV用IGBT模塊 產品中分別內置有6個IGBT和FWD。此外,還內置有用于檢測溫度的熱敏電阻。

            產品信息

            • 產品信息

            EV、HEV用IGBT模塊 650V級

            ※點擊產品圖像即可查看等效電路圖。

            VCE(sat): at Tj=25°C, Chip

            Package Device type VCES
            Volt
            IC(Cont)
            Amps.
            IC(Peak)
            Amps.
            VCE(sat)
            Typ. Volts
            VF
            Typ. Volts
            Net mass Grams

            M651
            6MBI400VW-065V 650 200 400 2.00 (IC=400A) 1.70 (IF=400A) 660g

            M652
            6MBI600VW-065V 650 300 600 2.00 (IC=600A) 1.70 (IF=600A) 900g

            :新產品

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            :開發中

             


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